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IRKT250-04N

更新时间： 2024-01-03 17:27:15

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅栅极
页数	文件大小	规格书
13页	319K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 555A I(T)RMS, 250000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 2 Element, POWER, MAGN-A-PAK-7

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IRKT250-04N 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-D3	针数：	7
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.17	其他特性：	UL APPROVED
外壳连接：	ISOLATED	标称电路换相断开时间：	150 µs
配置：	SERIES CONNECTED, 2 ELEMENTS	关态电压最小值的临界上升速率：	1000 V/us
最大直流栅极触发电流：	200 mA	最大直流栅极触发电压：	3 V
快速连接描述：	2G-2GR	螺丝端子的描述：	A-K-AK
最大维持电流：	500 mA	JESD-30 代码：	R-PUFM-D3
最大漏电流：	50 mA	通态非重复峰值电流：	8500 A
元件数量：	2	端子数量：	3
最大通态电流：	250000 A	最高工作温度：	130 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	555 A
重复峰值关态漏电流最大值：	50000 µA	断态重复峰值电压：	400 V
重复峰值反向电压：	400 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子形式：	SOLDER LUG
端子位置：	UPPER	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRKT250-04PBF	VISHAY	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 555A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 2 Element, LEAD FREE
IRKT250-06	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 555 A, 600 V, SCR, POWER, MAGN-A-PAK-7
IRKT250-06N	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 555 A, 600 V, SCR, POWER, MAGN-A-PAK-7
IRKT250-06PBF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 555A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 2 Element, POWER, MA
IRKT250-08	ETC	获取价格	THYRISTOR MODULE\|SCR DOUBLER\|800V V(RRM)\|250A I(T)
IRKT250-08D20	INFINEON	获取价格	SCR / SCR and SCR / DIODE
IRKT250-08D20	VISHAY	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 555A I(T)RMS, 250000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Ele
IRKT250-08D20N	ETC	获取价格	THYRISTOR MODULE\|SCR DOUBLER\|800V V(RRM)\|250A I(T)
IRKT250-08N	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 555 A, 800 V, SCR, POWER, MAGN-A-PAK-7
IRKT250-08PBF	VISHAY	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 555A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Element, POWER, MA