5秒后页面跳转
IRKT250-08PBF PDF预览

IRKT250-08PBF

更新时间: 2024-10-01 14:18:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网栅极
页数 文件大小 规格书
1页 32K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 555A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Element, POWER, MAGN-A-PAK-7

IRKT250-08PBF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-D3针数:7
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.13其他特性:UL APPROVED
外壳连接:ISOLATED配置:SERIES CONNECTED, 2 ELEMENTS
最大直流栅极触发电流:200 mAJESD-30 代码:R-PUFM-D3
元件数量:2端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:555 A断态重复峰值电压:800 V
重复峰值反向电压:800 V表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

IRKT250-08PBF 数据手册

  

与IRKT250-08PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRKT250-10 ETC

获取价格

THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|1KV V(RRM)|250A I(T)
IRKT250-10FN INFINEON

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 392.5A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 2 Element
IRKT250-10FNN INFINEON

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 392.5A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 2 Element
IRKT250-10FPN INFINEON

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 392.5A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 2 Element
IRKT250-10HP INFINEON

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 392.5A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 2 Element
IRKT250-10HPN INFINEON

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 392.5A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 2 Element
IRKT250-10N INFINEON

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 555A I(T)RMS, 250000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 2 E
IRKT250-10PBF INFINEON

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 555A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 2 Element, POWER,
IRKT250-12 ETC

获取价格

THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|1.2KV V(RRM)|250A I(T)
IRKT250-12D20 INFINEON

获取价格

SCR / SCR and SCR / DIODE