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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.09 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 50 V | 最大漏极电流 (ID)： | 15 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 250 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 60 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN OVER NICKEL | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFZ20N | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFZ20PBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFZ20PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFZ20T | MOTOROLA |
获取价格 |
15A, 50V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRFZ20U2 | MOTOROLA |
获取价格 |
15A, 50V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| IRFZ20UA | MOTOROLA |
获取价格 |
15A, 50V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| IRFZ20W | MOTOROLA |
获取价格 |
15 A, 50 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| IRFZ20WC | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRFZ22 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET TRANSISTORS |
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| IRFZ22 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 50V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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