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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.38 | 雪崩能效等级（Eas）： | 380 mJ |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 150 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A | 最大漏极电流 (ID)： | 11 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 125 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 44 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 30 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 45 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP9241R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-247 |
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| IRFP9242 | SAMSUNG |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRFP9242 | NJSEMI |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRFP9242R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247 |
|
| IRFP9243 | SAMSUNG |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRFP9243R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247 |
|
| IRFP924S | NJSEMI |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRFPC30 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdsss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=4.3A) |
|
| IRFPC32 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3.9A I(D) | TO-247AC |
|
| IRFPC40 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=6.8A) |
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