19MT050XF

更新时间： 2024-01-01 22:58:41

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描述
FULL BRIDGE FREDFET MTP HEXFET POWER MOSFET

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19MT050XF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-P16
针数：	16	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.47	雪崩能效等级（Eas）：	493 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	31 A
最大漏源导通电阻：	0.25 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-XUFM-P16	元件数量：	4
端子数量：	16	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	124 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

19MT050XF 数据手册

Bulletin I27128 RevꢀC 07/03

19MT050XF

HEXFET^®Power MOSFET

"FULL-BRIDGE" FREDFET MTP

Features

Low On-Resistance

High Performance Optimised Built-in Fast

Recovery Diodes

31 A

V_DSS= 500V

Fully Characterized Capacitance and

Avalanche Voltage and Current

Aluminum Nitride DBC

Very Low Stray Inductance Design for

HighSpeedOperation

Benefits

Low Gate Charge Qg results in Simple

Drive Requirement

Improved Gate, Avalanche and Dynamic

dv/dt Ruggedness

Low Trr and Soft Diode Reverse Recovery

Optimized for Welding, UPS and SMPS

Applications

Outstanding ZVS and High Frequency

Operation

Direct Mounting to Heatsink

PCB Solderable Terminals

VeryLowJunction-to-CaseThermalResistance

ULApprovedE78996

MMTP

Absolute Maximum Ratings

Parameters

Max

Units

I_D

Continuos Drain Current @ V_GS= 10V

@ T_C= 25°C

@ T_C= 100°C

I_DM

P_D

Pulsed Drain Current

(1)

124

1140

456

± 30

2500

Maximum Power Dissipation

@ T_C= 25°C

@ T_C= 100°C

V_GS

Gate-to-Source Voltage

V_ISOL

dv/dt

RMS Isolation Voltage, Any Terminal to Case, t = 1 min

Peak Diode Recovery dv/dt (3)

V/ ns

wwwꢀirfꢀcom

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
19MT050XFAPBF	VISHAY	'Full Bridge' FREDFET MTP (Power MOSFET), 31 A	获取价格
19MT050XFPBF	INFINEON	暂无描述	获取价格
19N10	UTC	100V N-Channel MOSFET	获取价格
19N10_09	UTC	100V N-Channel MOSFET	获取价格
19N10_15	UTC	N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE	获取价格
19N10G	UTC	100V N-Channel MOSFET	获取价格