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Datasheet > 驱动程序和接口 > MOSFET 驱动器> IR21363PBF
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IR21363PBF

更新时间： 2024-01-10 03:31:50
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 驱动器MOSFET驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
36页 390K
描述
3-PHASE BRIDGE DRIVER

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IR21363PBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：MS-013AE, SOIC-28
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：12 weeks
风险等级：1.76其他特性：FLOATING LOAD DRIVER; UNDER VOLTAGE LOCKOUT CIRCUIT
高边驱动器：YES接口集成电路类型：HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码：R-PDSO-G28长度：17.9 mm
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：28最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C标称输出峰值电流：0.35 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED座面最大高度：2.65 mm
最大供电电压：20 V最小供电电压：12 V
标称供电电压：15 V表面贴装：YES
温度等级：AUTOMOTIVE端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED断开时间：0.55 µs
接通时间：0.55 µs宽度：7.5 mm
Base Number Matches：1

IR21363PBF 数据手册

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(
)
IR2136(2)(3)(5)(6)(7)(8)  
J&S) & (PbF  
Static Electrical Characteristics cont.  
V
(V , V 1,2,3) = 15V unless otherwise specified. The V , V and I parameters are referenced to V and  
BIAS CC BS IN TH IN SS  
are applicable to all six channels (H 1,2,3 and L 1,2,3). The V and I parameters are referenced to COM and V 1,2,3  
S
S
O
O
S
and are applicable to the respective output leads: H  
and L  
O1,2,3  
O1,2,3.  
Symbol  
Definition  
Min. Typ. Max. Units Test Conditions  
V
V
and V supply undervoltage  
IR2136(8)  
IR21362  
7.4  
8.2  
9.4  
10.9  
0.7  
1.0  
0.2  
—
9.0  
10.2  
11.4  
—
CCUV-  
CC  
BS  
V
negative going threshold  
8.6  
BSUV-  
IR21363(5)(6)(7) 10.4  
V
V
V
CC  
and V supply undervoltage  
IR2136  
IR21362  
0.3  
0.5  
—
CCUVH  
BS  
V
lockout hysteresis  
—
BSUVH  
IR21363(5)  
—
I
Offset supply leakage current  
—
50  
V
=V  
B1,2,3 S1,2,3=600V  
LK  
µA  
I
I
Quiescent V supply current  
—
70  
1.6  
5.2  
200  
0
120  
2.3  
5.5  
300  
1
QBS  
BS  
Quiescent V  
supply current  
—
mA  
V
V
IN  
= 0V or 5V  
QCC  
CC  
V
4.9  
—
I
IN =100µA  
IN, CLAMP Input clamp voltage (HIN, LIN, ITRIP and EN)  
I
Input bias current (LOUT = HI)  
Input bias current (LOUT = LO)  
Input bias current (HOUT = HI)  
IR2136(2)(3)(5)  
V
LIN+  
LIN = 5V  
LIN = 0V  
HIN = 5V  
—
IR21366(7)(8)  
I
IR2136(2)(3)(5)  
—
100  
0
220  
1
V
LIN-  
—
IR21366(7)(8)  
IR2136(3)(5)  
I
—
200  
30  
0
300  
100  
1
V
V
HIN+  
—
IR21362  
µA  
—
IR21366(7)(8)  
IR2136(3)(5)  
I
Input bias current (HOUT = LO)  
—
100  
0
220  
1
HIN-  
HIN = 0V  
—
IR21362(6)(7)(8)  
I
“high” ITRIP input bias current  
“low” ITRIP input bias current  
“high” ENABLE input bias current  
“low” ENABLE input bias current  
RCIN input bias current  
—
30  
0
100  
1
V
= 5V  
= 0V  
ITRIP+  
ITRIP  
I
—
V
ITRIP  
ITRIP-  
I
—
30  
0
100  
1
V
= 5V  
= 0V  
EN+  
ENABLE  
I
—
V
ENABLE  
EN-  
I
—
0
1
V
= 0V or 15V  
RCIN  
RCIN  
I
Output high short circuit pulsed current  
Output low short circuit pulsed current  
RCIN low on resistance  
120  
250  
—
200  
350  
50  
50  
—
V =0V, PW ≤ 10 µs  
O
O+  
mA  
I
—
V =15V, PW ≤10 µs  
O
O-  
R
100  
100  
ON,RCIN  
Ω
R
FAULT low on resistance  
—
ON,FLT  
4
www.irf.com  
1234567...36

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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