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IR21303C

更新时间： 2024-02-02 05:26:41
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 驱动器
页数 文件大小 规格书
21页 247K
描述
3-PHASE BRIDGE DRIVER

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IR21303C 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIE包装说明：DIE, DIE OR CHIP
针数：28Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.92高边驱动器：YES
接口集成电路类型：HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVERJESD-30 代码：R-XUUC-N28
JESD-609代码：e0功能数量：1
端子数量：28最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C标称输出峰值电流：0.5 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIE
封装等效代码：DIE OR CHIP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：UNCASED CHIP峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：15 V认证状态：Not Qualified
子类别：MOSFET Drivers最大供电电压：20 V
最小供电电压：13.3 V标称供电电压：15 V
表面贴装：YES温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：TIN LEAD端子形式：NO LEAD
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
断开时间：0.55 µs接通时间：0.85 µs
Base Number Matches：1

IR21303C 数据手册

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IR21303C  
Dynamic Electrical Characteristics  
V
(V , V  
BIAS CC BS1,2,3  
) = 15V, V  
= V , C = 1000 pF and T = 25°C unless otherwise specified. The dynamic  
S0,1,2,3  
SS  
L
A
electrical characteristics are defined in Figures 3 through 5.  
Symbol  
Definition  
Figure Min. Typ. Max. Units Test Conditions  
t
Turn-On Propagation Delay  
Turn-Off Propagation Delay  
Turn-On Rise Time  
11  
12  
13  
14  
15  
—
16  
—
17  
—
18  
19  
450  
300  
—
675  
425  
80  
850  
550  
125  
55  
on  
t
V
= 0 & 5V  
IN  
off  
t
V
= 0 to 600V  
r
S1,2,3  
t
Turn-Off Fall Time  
—
35  
f
t
ITRIP to Output Shutdown Prop. Delay  
ITRIP Blanking Time  
400  
—
660  
400  
590  
310  
9.0  
600  
6.2  
3.2  
920  
—
V
IN  
, V = 0 & 5V  
ITRIP  
itrip  
ns  
t
V
= 1V  
ITRIP  
bl  
t
ITRIP to ꢀꢁꢂꢃꢄ Indication Delay  
Input Filter Time (All Six Inputs)  
ꢃꢆꢇꢈꢉꢊꢉꢋ & ꢅꢆꢇꢈꢉꢊꢉꢋto ꢀꢁꢂꢃꢄ Clear Time  
Deadtime  
335  
—
845  
—
V
, V  
ITRIP  
= 0 & 5V  
flt  
IN  
t
V
= 0 & 5V  
flt,in  
IN  
t
6.0  
300  
4.4  
2.4  
12.0  
900  
—
V
, V  
ITRIP  
= 0 & 5V  
fltclr  
IN  
ns  
DT  
SR+  
SR-  
V
= 0 & 5V  
IN  
Operational Amplifier Slew Rate (+)  
Operational Amplifier Slew Rate (-)  
V/µs  
—
NOTE: For high side PWM, HIN pulse width must be ≥ 1.5µsec  
Static Electrical Characteristics  
V
(V , V  
) = 15V, V  
= V and T = 25°C unless otherwise specified. The V , V and I parameters  
are referenced to V and are applicable to all six logic input leads: ꢅꢆꢇꢈꢉꢊꢉꢋ & ꢃꢆꢇꢈꢉꢊꢉꢋ. The V and I parameters  
O O  
BIAS CC BS1,2,3  
S0,1,2,3  
SS  
A
IN TH  
IN  
SS  
are referenced to V  
and are applicable to the respective output leads: HO1,2,3 or LO1,2,3.  
S0,1,2,3  
Symbol  
Definition  
Figure Min. Typ. Max. Units Test Conditions  
V
Logic “0” Input Voltage (OUT = LO)  
Logic “1” Input Voltage (OUT = HI)  
ITRIP Input Positive Going Threshold  
20  
21  
—
2.2  
—
—
—
IH  
V
V
—
0.8  
IL  
V
436.8  
—
480 529.2  
IT,TH+  
V
V
I
High Level Output Voltage, V  
- VO  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
29  
30  
—
—
—
100  
100  
50  
V
IN  
= 0V, I = 0A  
O
mV  
OH  
OL  
BIAS  
Low Level Output Voltage, VO  
Offset Supply Leakage Current  
—
V
IN  
= 5V, I = 0A  
O
—
—
V
= V = 600V  
S
LK  
B
µA  
I
Quiescent V Supply Current  
BS  
—
15  
30  
V = 0V or 5V  
IN  
QBS  
QCC  
I
Quiescent V  
Supply Current  
—
3.0  
450  
225  
75  
4.0  
mA  
V
= 0V or 5V  
IN  
CC  
I
Logic “1” Input Bias Current (OUT = HI)  
Logic “0” Input Bias Current (OUT = LO)  
“High” ITRIP Bias Current  
—
650  
400  
150  
100  
13.2  
V
= 0V  
IN+  
IN  
IN  
I
—
V
= 5V  
µA  
IN-  
I
—
ITRIP = 5V  
ITRIP = 0V  
ITRIP+  
I
“Low” ITRIP Bias Current  
—
—
nA  
ITRIP-  
V
V
Supply Undervoltage Positive Going  
BS  
10.8  
12  
BSUV+  
Threshold  
Supply Undervoltage Negative Going  
BS  
V
V
V
—
—
—
31  
9
10  
12  
10  
55  
11  
13.2  
11  
BSUV-  
Threshold  
Supply Undervoltage Positive Going  
CC  
V
V
10.8  
9.0  
—
CCUV+  
Threshold  
V Supply Undervoltage Negative Going  
CC  
V
CCUV-  
on,FLT  
Threshold  
R
FAULT Low On-Resistance  
75  
Ω
www.irf.com  
3
1234567...21

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