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IR2128C

更新时间： 2024-02-08 07:28:07

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英飞凌 - INFINEON		/
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17页	142K
描述
Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, CMOS,

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IR2128C 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	End Of Life
包装说明：	, DIE OR CHIP	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.7	接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装等效代码：	DIE OR CHIP	电源：	15 V
认证状态：	Not Qualified	子类别：	MOSFET Drivers
标称供电电压：	15 V	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	Base Number Matches：	1

IR2128C 数据手册

IR2127C/IR2128C/IR21271C

Device Information

Process & Design Rule

Transistor Count

Die Size

HVDCMOS 600V

206

77 x 85 (mils)

Die Outline

Thickness of Gate Oxide

Connections

800Å

Poly Silicon

4.0 µm

Material

Width

First

Layer

Spacing

Thickness

Material

Width

Spacing

Thickness

6.0 µm

5000Å

Al - Si (Si: 1.0% ±0.1%)

6.0 µm

Second

Layer

9.0 µm

20,000Å

Contact Hole Dimension

Insulation Layer

5 µm X 5 µm

PSG (SiO₂)

1.6 µm

PSG (SiO₂)

1.6 µm

Material

Thickness

Material

Passivation

Thickness

Method of Saw

Method of Die Bond

Wire Bond

Full Cut

Ablebond 84 - 1

Thermosonic

Au (1.3 mil)

Method

Material

Die Area

Lead Plating

Types

Leadframe

70-90% Sn (Balance Pb)

8-Lead PDIP / 8-Lead SOIC

EME6300H, EM6600RA

Package

Materials

Remarks:

www.irf.com

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