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IR2128

更新时间: 2024-01-09 22:23:35
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英飞凌 - INFINEON 驱动器接口集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 202K
描述
CURRENT SENSING SINGLE CHANNEL DRIVER

IR2128 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SOIC
包装说明:LEAD FREE, MS-012AA, SOIC-8针数:8
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.39.00.01风险等级:7.83
高边驱动器:YES输入特性:SCHMITT TRIGGER
接口集成电路类型:BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVERJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e3长度:4.9 mm
湿度敏感等级:2功能数量:1
端子数量:8最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C输出特性:TOTEM-POLE
标称输出峰值电流:0.5 A输出极性:INVERTED
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP8,.25封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
电源:15 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.75 mm子类别:MOSFET Drivers
最大供电电压:20 V最小供电电压:10 V
标称供电电压:15 V电源电压1-最大:620 V
电源电压1-分钟:7 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:AUTOMOTIVE
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30断开时间:0.2 µs
接通时间:0.25 µs宽度:3.9 mm
Base Number Matches:1

IR2128 数据手册

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Index  
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IR2128  
Device Information  
Process & Design Rule  
Transistor Count  
Die Size  
HVDCMOS 4.0 µm  
206  
77 X 85 X 26 (mil)  
Die Outline  
Thickness of Gate Oxide  
Connections  
First  
800Å  
Poly Silicon  
4 µm  
Material  
Width  
Layer  
Spacing  
Thickness  
Material  
Width  
Spacing  
Thickness  
6 µm  
5000Å  
Al - Si (Si: 1.0% ±0.1%)  
6 µm  
Second  
Layer  
7 µm  
20,000Å  
Contact Hole Dimension  
Insulation Layer  
8 µm X 8 µm  
PSG (SiO2)  
1.5 µm  
PSG (SiO2)  
1.5 µm  
Material  
Thickness  
Material  
Passivation  
Thickness  
Method of Saw  
Method of Die Bond  
Wire Bond  
Full Cut  
Ablebond 84 - 1  
Thermo Sonic  
Au (1.0 mil / 1.3 mil)  
Cu  
Method  
Material  
Material  
Die Area  
Leadframe  
Ag  
Lead Plating  
Types  
Materials  
Pb : Sn (37 : 63)  
8 Lead PDIP / SO-8  
EME6300 / MP150 / MP190  
Package  
Remarks:  
CONTROL INTEGRATED CIRCUIT DESIGNERS’ MANUAL B-133  
To Order  

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