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IPZ60R017C7XKSA1

更新时间： 2024-01-17 01:58:07

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英飞凌 - INFINEON		/
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描述
Power Field-Effect Transistor,

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IPZ60R017C7XKSA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	2.27	JESD-609代码：	e3
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	端子面层：	Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

IPZ60R017C7XKSA1 数据手册

IPZ60R017C7

MOSFET

PG-TOꢀ247-4

600VꢀCoolMOSªꢀC7ꢀPowerꢀTransistor

CoolMOS™ꢀC7ꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀforꢀhighꢀvoltageꢀpower

MOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunctionꢀ(SJ)ꢀprincipleꢀand

pioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.

600VꢀCoolMOS™ꢀC7ꢀseriesꢀcombinesꢀtheꢀexperienceꢀofꢀtheꢀleadingꢀSJ

MOSFETꢀsupplierꢀwithꢀhighꢀclassꢀinnovation.

Theꢀ600VꢀC7ꢀisꢀtheꢀfirstꢀtechnologyꢀeverꢀwithꢀR_DS(on)*Aꢀbelowꢀ1Ohm*mm².

Features

•ꢀSuitableꢀforꢀhardꢀandꢀsoftꢀswitchingꢀ(PFCꢀandꢀhighꢀperformanceꢀLLC)

•ꢀIncreasedꢀMOSFETꢀdv/dtꢀruggednessꢀtoꢀ120V/ns

•ꢀIncreasedꢀefficiencyꢀdueꢀtoꢀbestꢀinꢀclassꢀFOMꢀR_DS(on)*E_ossꢀandꢀR_DS(on)*Q_g

•ꢀBestꢀinꢀclassꢀR_DS(on)ꢀ/package

Drain

Pin 1

•ꢀEasyꢀtoꢀuse/drive

Gate

Pin 4

•ꢀPb-freeꢀplating,ꢀhalogenꢀfreeꢀmoldꢀcompound

•ꢀQualifiedꢀforꢀindustrialꢀgradeꢀapplicationsꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀ(J-STD20

andꢀJESD22)

Driver

Source

Pin 3

Power

Source

Pin 2

•ꢀ4pinꢀkelvinꢀsourceꢀconcept

Benefits

•ꢀIncreasedꢀeconomiesꢀofꢀscaleꢀbyꢀuseꢀinꢀPFCꢀandꢀPWMꢀtopologiesꢀinꢀthe

application

•ꢀHigherꢀdv/dtꢀlimitꢀenablesꢀfasterꢀswitchingꢀleadingꢀtoꢀhigherꢀefficiency

•ꢀEnablingꢀhigherꢀsystemꢀefficiencyꢀbyꢀlowerꢀswitchingꢀlosses

•ꢀIncreasedꢀpowerꢀdensityꢀsolutionsꢀdueꢀtoꢀsmallerꢀpackages

•ꢀSuitableꢀforꢀapplicationsꢀsuchꢀasꢀserver,ꢀtelecomꢀandꢀsolar

•ꢀUpꢀtoꢀ0.5%ꢀbetterꢀfullꢀloadꢀefficiencyꢀ@100kHzꢀcomparedꢀtoꢀconventional

3pinꢀpackage

Applications

PFCꢀstagesꢀandꢀPWMꢀstagesꢀ(TTF,ꢀLLC)ꢀforꢀhighꢀpower/performance

SMPSꢀe.g.ꢀComputing,ꢀServer,ꢀTelecom,ꢀUPSꢀandꢀSolar.

Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate

orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@ T_j,max

R_DS(on),max

Q_g.typ

Value

650

Unit

mΩ

240

495

I_D,pulse

I_D,continuous@ T_j<150°C 129

E_oss@400V

µJ

Body diode di/dt

200

A/µs

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

IPZ60R017C7

PG-TO 247-4

60C7017

see Appendix A

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2016-03-01

12 3 4 5 6 7...14

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