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IPZ60R060C7

更新时间: 2024-11-30 11:15:43
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英飞凌 - INFINEON 开关功率因数校正
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15页 1296K
描述
600V CoolMOS™ C7 超级结(SJ)MOSFET 系列比 CoolMOS™ CP 系列可减少大约 50% 的关断损耗(E oss),在 PFC、TTF 及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。另外,IPL60R185C7也是高功率密度充电器的不二之选!

IPZ60R060C7 数据手册

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MOSFET  
MetalꢀOxideꢀSemiconductorꢀFieldꢀEffectꢀTransistor  
CoolMOS™ꢀC7  
600VꢀCoolMOS™ꢀC7ꢀPowerꢀTransistor  
IPZ60R060C7  
DataꢀSheet  
Rev.ꢀ2.0  
Final  
PowerꢀManagementꢀ&ꢀMultimarket  

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