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IPZA60R016CM8

更新时间： 2024-05-23 22:23:44

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英飞凌 - INFINEON		/
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14页	1241K
描述
The 600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFETs series is the successor to the 600 V CoolMOS? 7 MOSFET family including P7, S7, CFD7, C7 (G7) and PFD7.

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IPZA60R016CM8 数据手册

IPZA60R016CM8

MOSFET

PG-TO247-4

600VꢀCoolMOSªꢀCM8ꢀPowerꢀTransistor

TheꢀCoolMOS™ꢀ8thꢀgenerationꢀplatformꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀfor

highꢀvoltageꢀpowerꢀMOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunction

(SJ)ꢀprincipleꢀandꢀpioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.ꢀTheꢀ600V

CoolMOS™ꢀCM8ꢀseriesꢀisꢀtheꢀsuccessorꢀtoꢀtheꢀCoolMOS™ꢀ7.

ItꢀcombinesꢀtheꢀbenefitsꢀofꢀaꢀfastꢀswitchingꢀSJꢀMOSFETꢀwithꢀexcellent

easeꢀofꢀuse,ꢀe.gꢀlowꢀringingꢀtendency,ꢀimplementedꢀfastꢀbodyꢀdiodeꢀ(CFD)

forꢀallꢀproductsꢀwithꢀoutstandingꢀrobustnessꢀagainstꢀhardꢀcommutationꢀand

excellentꢀESDꢀcapability.ꢀFurthermore,ꢀextremelyꢀlowꢀswitchingꢀand

conductionꢀlossesꢀofꢀCM8,ꢀmakeꢀswitchingꢀapplicationsꢀevenꢀmore

efficient.

tab

Features

Drain

Pin 1, Tab

•ꢀSuitableꢀforꢀhardꢀandꢀsoftꢀswitchingꢀtopologiesꢀthanksꢀtoꢀan

ꢀꢁꢀoutstandingꢀcommutationꢀruggedness

•ꢀSignificantꢀreductionꢀofꢀswitchingꢀandꢀconductionꢀlosses

•ꢀBestꢀinꢀclassꢀR_DS(on)ꢀperꢀpackageꢀproductsꢀenabledꢀbyꢀultraꢀlowꢀR_DS(on)*A

Gate

Pin 4

Driver

Source

Pin 3

Power

Source

Pin 2

Benefits

*1: Internal body diode

•ꢀEaseꢀofꢀuseꢀandꢀfastꢀdesign-inꢀthroughꢀlowꢀringingꢀtendencyꢀandꢀusage

ꢀꢁꢀacrossꢀPFCꢀandꢀPWMꢀstages

•ꢀSimplifiedꢀthermalꢀmanagementꢀthanksꢀtoꢀourꢀadvancedꢀdieꢀattach

ꢀꢁꢀtechnique

•ꢀIncreasedꢀpowerꢀdensityꢀsolutionsꢀenabledꢀbyꢀusingꢀproductsꢀwith

ꢀꢁꢀsmallerꢀfootprintꢀandꢀhigherꢀmanufacturingꢀqualityꢀdueꢀstateꢀofꢀtheꢀart

ꢀꢁꢀESDꢀprotection

•ꢀSuitableꢀforꢀaꢀwideꢀvarietyꢀofꢀapplicationsꢀandꢀpowerꢀranges

Potentialꢀapplications

•ꢀPowerꢀsuppliesꢀandꢀconverters

•ꢀPFCꢀstagesꢀ&ꢀLLCꢀresonantꢀconverters

•ꢀHighꢀefficiencyꢀswitchingꢀapplications

•ꢀe.g.ꢀServer,ꢀTelecom,ꢀEVꢀCharging,ꢀUPS

Productꢀvalidation

FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate

orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@ T_j,max

R_DS(on),max

Value

650

Unit

mΩ

Q_g,typ

171

505

22.9

1300

I_D,pulse

E_oss@ 400V

Body diode di_F/dt

ESD class (HBM)

µJ

A/µs

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

60R016C8

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IPZA60R016CM8

PG-TO247-4

see Appendix A

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2024-03-21

12 3 4 5 6 7...14

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IPZA60R037P7	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMO
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