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IPZA65R029CFD7

更新时间： 2024-11-30 14:53:51

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英飞凌 - INFINEON		电站服务器电信
页数	文件大小	规格书
14页	1265K
描述
英飞凌 650V CoolMOS? CFD7 超结 MOSFET IPZA65R029CFD7 采用 TO-247 封装，尤为适用于诸如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站等工业应用中的谐振拓扑结构。相较于竞品，该产品可显著提高效率。

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IPZA65R029CFD7 数据手册

IPZA65R029CFD7

MOSFET

PG-TOꢀ247-4-3

650VꢀCoolMOSªꢀCFD7ꢀSJꢀPowerꢀDevice

Theꢀlatestꢀ650ꢀVꢀCoolMOS™ꢀCFD7ꢀextendsꢀtheꢀvoltageꢀclassꢀofferingꢀof

theꢀCFD7ꢀfamilyꢀandꢀisꢀaꢀsuccessorꢀtoꢀtheꢀ650ꢀVꢀCoolMOS™ꢀCFD2.

Resultingꢀfromꢀimprovedꢀswitchingꢀperformanceꢀandꢀexcellentꢀthermal

behavior,ꢀ650ꢀVꢀCooMOS™ꢀCFD7ꢀoffersꢀhighestꢀefficiencyꢀinꢀresonant

switchingꢀtopologies,ꢀsuchꢀasꢀLLCꢀandꢀphase-shift-full-bridgeꢀ(ZVS).ꢀAs

partꢀofꢀInfineon’sꢀfastꢀbodyꢀdiodeꢀportfolio,ꢀthisꢀnewꢀproductꢀseriesꢀblends

allꢀadvantagesꢀofꢀaꢀfastꢀswitchingꢀtechnologyꢀtogetherꢀwithꢀsuperiorꢀhard

commutationꢀrobustness.ꢀTheꢀCoolMOS™ꢀCFD7ꢀtechnologyꢀmeets

highestꢀefficiencyꢀandꢀreliabilityꢀstandardsꢀandꢀfurthermoreꢀsupportsꢀhigh

powerꢀdensityꢀsolutions.

tab

Features

Drain

Pin 1, Tab

•ꢀUltra-fastꢀbodyꢀdiode

•ꢀ650Vꢀbreakꢀdownꢀvoltage

•ꢀBest-in-classꢀR_DS(on)

•ꢀReducedꢀswitchingꢀlosses

•ꢀLowꢀR_DS(on)ꢀdependencyꢀoverꢀtemperature

Gate

Pin 4

Driver

Source

Pin 3

Power

Source

Pin 2

*1: Internal body diode

Benefits

•ꢀExcellentꢀhardꢀcommutationꢀruggedness

•ꢀExtraꢀsafetyꢀmarginꢀforꢀdesignsꢀwithꢀincreasedꢀbusꢀvoltage

•ꢀEnablingꢀincreasedꢀpowerꢀdensityꢀsolutions

•ꢀOutstandingꢀlightꢀloadꢀefficiencyꢀinꢀindustrialꢀSMPSꢀapplications

•ꢀImprovedꢀfullꢀloadꢀefficiencyꢀinꢀindustrialꢀSMPSꢀapplications

•ꢀPriceꢀcompetitivenessꢀoverꢀpreviousꢀCoolMOS™ꢀfamilies

Potentialꢀapplications

SuitableꢀforꢀSoftꢀSwitchingꢀtopologies

Optimizedꢀforꢀphase-shiftꢀfull-bridgeꢀ(ZVS),ꢀLLCꢀApplicationsꢀ–ꢀServer,

Telecom,ꢀEVꢀCharging,ꢀSolar

Productꢀvalidation

FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

Pleaseꢀnote:ꢀTheꢀsourceꢀandꢀsenseꢀsourceꢀpinsꢀareꢀnotꢀexchangeable.

Theirꢀexchangeꢀmightꢀleadꢀtoꢀmalfunction.ꢀForꢀparallelingꢀ4pinꢀMOSFET

devicesꢀtheꢀplacementꢀofꢀtheꢀgateꢀresistorꢀisꢀgenerallyꢀrecommendedꢀtoꢀbe

onꢀtheꢀDriverꢀSourceꢀinsteadꢀofꢀtheꢀGate.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@ T_j,max

R_DS(on),max

Value

Unit

700

mΩ

Q_g,typ

145

I_D,pulse

304

E_oss@ 400V

Body diode di_F/dt

19.8

1300

µJ

A/µs

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

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IPZA65R029CFD7

PG-TO247-4-3

65R029F7

see Appendix A

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2020-08-12

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IQ040PFQTC30	SYNQOR	获取价格	Passive EMI Filter
IQ040PFQTC30SRS-G	SYNQOR	获取价格	Passive EMI Filter
IQ040PFQTX30	SYNQOR	获取价格	All capacitors are X7R multi-layer ceramic
IQ040PFQTx30SRS-G	SYNQOR	获取价格	All capacitors are X7R multi-layer ceramic
IQ04-1B5NOKW2S	SICK	获取价格	INDUCTIVE PROXIMITY SENSORS
IQ04-1B5POKW2S	SICK	获取价格	INDUCTIVE PROXIMITY SENSORS
IQ0505SA	XPPOWER	获取价格	1 Watt
IQ0509SA	XPPOWER	获取价格	1 Watt
IQ0512SA	XPPOWER	获取价格	1 Watt
IQ0515SA	XPPOWER	获取价格	1 Watt

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