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IPP65R099C6

更新时间： 2022-02-26 12:58:57

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N-Channel MOSFET Transistor

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IPP65R099C6 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor

IPP65R099C6，IIPP65R099C6

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

T_C=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

BV_DSS

V_GS(th)

R_DS(on)

I_GSS

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

650

2.5

TYP

MAX

UNIT

Drain-Source Breakdown Voltage V_GS=0V; ID =1mA

Gate Threshold Voltage

V_DS=V_GS; ID =1.2mA

V_GS=10V; ID=12.8A

V_GS=20V; V_DS=0V

V_DS=650V; V_GS= 0V

I_F=19.2A; V_GS= 0V

3.5

0.099

0.1

Drain-Source On-Resistance

Gate-Source Leakage Current

Drain-Source Leakage Current

Diode forward voltage

μA

I_DSS

V_SD

0.9

isc website：www.iscsemi.cn

isc & iscsemi is registered trademark

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