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IPI90R340C3XKSA1

更新时间： 2024-01-04 12:37:49

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	344K
描述
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 900V, 0.34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, 3 PIN

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IPI90R340C3XKSA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TO-262AA
包装说明：	GREEN, PLASTIC, TO-262, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	8.45
雪崩能效等级（Eas）：	678 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	900 V	最大漏极电流 (ID)：	15 A
最大漏源导通电阻：	0.34 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-262AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	34 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPI90R340C3XKSA1 数据手册

IPI90R340C3

5 Typ. output characteristics

I _D=f(V _DS); T _J=150 °C

parameter: V _GS

6 Typ. drain-source on-state resistance

_DS(on)=f(I _D); T _J=150 °C

parameter: V _GS

20 V

6 V

10 V

5 V

8 V

4.5 V

10 V

5 V

4 V

4.8 V

4.5 V

4 V

_D[A]

_DS[V]

7 Drain-source on-state resistance

8 Typ. transfer characteristics

I _D=f(V _GS); V _DS=20V

parameter: T _J

_DS(on)=f(T _j); I _D=9.2 A; V _GS=10 V

25 °C

0.8

0.6

98 %

typ

150 °C

0.4

0.2

-60

-20

100

140

180

_J[°C]

V _GS[V]

Rev. 1.1

page 5

2012-01-10

1 2 3 456 7 8...10

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