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IPI90R340C3XKSA1 PDF预览

IPI90R340C3XKSA1

更新时间： 2024-01-08 13:17:26
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 344K
描述
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 900V, 0.34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, 3 PIN

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IPI90R340C3XKSA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-262AA
包装说明：GREEN, PLASTIC, TO-262, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：8.45
雪崩能效等级（Eas）：678 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：900 V最大漏极电流 (ID)：15 A
最大漏源导通电阻：0.34 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-262AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：34 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPI90R340C3XKSA1 数据手册

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IPI90R340C3  
Values  
typ.  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
min.  
max.  
Dynamic characteristics  
C iss  
Input capacitance  
Output capacitance  
-
-
2400  
120  
-
-
pF  
V
GS=0 V, V DS=100 V,  
f =1 MHz  
C oss  
Effective output capacitance, energy  
related 5)  
C o(er)  
-
-
71  
-
-
V
GS=0 V, V DS=0 V  
to 500 V  
Effective output capacitance, time  
related 6)  
C o(tr)  
280  
t d(on)  
t r  
t d(off)  
t f  
Turn-on delay time  
Rise time  
-
-
-
-
70  
20  
-
-
-
-
ns  
V
V
DD=400 V,  
GS=10 V, I D=9.2A,  
Turn-off delay time  
Fall time  
400  
25  
R G=23.1 Ω  
Gate Charge Characteristics  
Gate to source charge  
Gate to drain charge  
Gate charge total  
Q gs  
-
-
-
-
11  
41  
94  
4.6  
-
-
nC  
Q gd  
V
V
DD=400 V, I D=9.2 A,  
GS=0 to 10 V  
Q g  
tbd  
-
V plateau  
Gate plateau voltage  
V
V
Reverse Diode  
V
GS=0 V, I F=9.2 A,  
V SD  
Diode forward voltage  
-
0.8  
1.2  
T j=25 °C  
t rr  
Reverse recovery time  
-
-
-
510  
11  
-
-
-
ns  
µC  
A
V R=400 V, I F=I S,  
di F/dt =100 A/µs  
Q rr  
I rrm  
Reverse recovery charge  
Peak reverse recovery current  
41  
1) J-STD20 and JESD22  
2) Pulse width t p limited by T J,max  
3) Repetitive avalanche causes additional power losses that can be calculated asP AV=E AR*f.  
4) ISD≤ID, di/dt≤200A/µs, VDClink=400V, Vpeak<V(BR)DSS, TJ<TJ,max, identical low side and high side switch  
5)  
C
o(er)  
is a fixed capacitance that gives the same stored energy as Coss while VDS is rising from 0 to 50% VDSS.  
6) C o(tr) is a fixed capacitance that gives the same charging time asC oss while V DS is rising from 0 to 50% V DSS.  
Rev. 1.1  
page 3  
2012-01-10  
1234567...10

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