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IPI90R340C3XKSA1

更新时间: 2024-02-16 18:22:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 344K
描述
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 900V, 0.34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, 3 PIN

IPI90R340C3XKSA1 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended零件包装代码:TO-262AA
包装说明:GREEN, PLASTIC, TO-262, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:8.45
雪崩能效等级(Eas):678 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:900 V最大漏极电流 (ID):15 A
最大漏源导通电阻:0.34 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-262AAJESD-30 代码:R-PSIP-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):34 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPI90R340C3XKSA1 数据手册

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IPI90R340C3  
1 Power dissipation  
2 Safe operating area  
I D=f(V DS); T C=25 °C; D =0  
parameter: t p  
P
tot=f(T C)  
102  
250  
limited by on-state  
resistance  
1 µs  
200  
150  
100  
50  
10 µs  
101  
100 µs  
1 ms  
10 ms  
DC  
100  
10-1  
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
1
10  
100  
1000  
V
DS [V]  
T
C [°C]  
3 Max. transient thermal impedance  
thJC=f(tP)  
4 Typ. output characteristics  
I D=f(V DS); T J=25 °C  
parameter: V GS  
Z
parameter: D=t p/T  
100  
50  
40  
30  
20  
10  
0
10 V  
8 V  
6 V  
0.5  
0.2  
5.5 V  
10-1  
0.1  
5 V  
0.05  
0.02  
0.01  
4.5 V  
4 V  
single pulse  
10-2  
10-5  
10-4  
10-3  
10-2  
10-1  
0
5
10  
15  
20  
25  
t
p [s]  
V DS [V]  
Rev. 1.1  
page 4  
2012-01-10  

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