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IPD110N12N3GBUMA1

更新时间: 2024-11-05 15:46:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 580K
描述
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 120V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, GREEN, PLASTIC, TO-252, 3 PIN

IPD110N12N3GBUMA1 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-252AA
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.7雪崩能效等级(Eas):120 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:120 V最大漏极电流 (ID):75 A
最大漏源导通电阻:0.011 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-252JESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):136 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):300 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IPD110N12N3GBUMA1 数据手册

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MOSFET  
MetalꢀOxideꢀSemiconductorꢀFieldꢀEffectꢀTransistor  
OptiMOS™ꢀPower-Transistor,ꢀ120V  
OptiMOS™ꢀ3ꢀPower-Transistor  
IPD_S110N12N3ꢀG  
DataꢀSheet  
Rev.ꢀ2.4  
Final  
Industrialꢀ&ꢀMultimarket  

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Board Connector, 10 Contact(s), 1 Row(s), Female, IDC Terminal, ROHS COMPLIANT
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