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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-252AA | 包装说明： | PLASTIC, TO-252, 3 PIN |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.85 |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级（Eas）： | 80 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 25 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 30 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 30 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0104 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 220 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 52 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 210 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPD10N03LAG | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPD1-102-01-F-D-02-20-P | SAMTEC |
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Interconnection Device |
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| IPD1-102-01-F-D-02-24-P | SAMTEC |
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Interconnection Device |
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| IPD1-102-01-F-D-02-30-P | SAMTEC |
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Interconnection Device |
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| IPD1-102-01-L-D-02-24-P | SAMTEC |
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Interconnection Device |
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| IPD1-102-01-L-D-02-26-P | SAMTEC |
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Interconnection Device |
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| IPD1-102-01-S-D-02-24-P | SAMTEC |
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Interconnection Device |
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| IPD1-102-01-S-D-02-26-P | SAMTEC |
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Interconnection Device |
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| IPD1-102-01-S-D-02-30-P | SAMTEC |
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Interconnection Device |
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| IPD1-103-01-F-D-02-24-P | SAMTEC |
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Interconnection Device |
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