Datasheet > IMTI-65698V-55

IMTI-65698V-55

更新时间： 2024-11-30 20:27:43

品牌	Logo	应用领域
TEMIC		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	102K
描述
Standard SRAM, 64KX4, 55ns, CMOS, PDSO28,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IMTI-65698V-55 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.92
最长访问时间：	55 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G28	JESD-609代码：	e0
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	4	端子数量：	28
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	64KX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP28,.4
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.000008 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.07 mA	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

IMTI-65698V-55 数据手册

MATRA MHS

M 65698

64 K × 4 Ultimate CMOS SRAM

Introduction

The M 65698 is a very low power CMOS static RAM supply current (Typical value = 0.1 µA) with a fast access

organized as 65536 × 4 bits. It is manufactured using the time at 40 ns. The high stability of the 6T cell provides

MHS high performance CMOS technology named excellent protection against soft errors due to noise.

SCMOS.

Extra protection against heavy ions is given by the use of

With this process, MHS is the first to bring the solution for

applications where fast computing is as mandatory as low

consumption, such as aerospace electronics, portable

instruments or embarked systems.

an epitaxial layer of a P substrate.

The M 67698 is 100 % processed following the test

methods of MIL STD 883 and/or ESA/SCC 9000, making

it ideally suitable for military/space applications that

demand superior levels of performance and reliability.

Utilizing an array of six transistors (6T) memory cells, the

65698 combines an extremely low standby

Features

D Access time

D 300 mils width package

D TTL compatible inputs and outputs

D Asynchronous

commercial : 35(*), 40, 45, 55 ns

industrial and military : 40(*), 45, 55 ns

D Very low power consumption

active : 50 mW (typ)

D Single 5 volt supply

D Equal cycle and access time

standby : 0.5 W (typ)

D Gated inputs :

no pull-up/down

resistors are required

data retention : 0.4 W (typ)

D Wide temperature range : -55 to + 125 °C

(*) Preliminary. Consult sales.

Interface

Block Diagram

Rev. C (12/12/94)

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与IMTI-65698V-55相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IMTI-67201AV-45	TEMIC	获取价格	FIFO, 512X9, 45ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SO-28
IMTI-67203L-25	TEMIC	获取价格	FIFO, 2KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28,
IMTI-67203L-35	TEMIC	获取价格	FIFO, 2KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28,
IMTI-67203V-55	TEMIC	获取价格	FIFO, 2KX9, 55ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28,
IMTI-67204L-25	TEMIC	获取价格	FIFO, 4KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28,
IMTI-67204L-35	TEMIC	获取价格	FIFO, 4KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28,
IMTI-67204L-45	TEMIC	获取价格	FIFO, 4KX9, 45ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28,
IMTI-67204V-25	TEMIC	获取价格	FIFO, 4KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28,
IMTI-67204V-55	TEMIC	获取价格	FIFO, 4KX9, 55ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28,
IMU01020.2NHB13.3N	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 0.0033uH, 6.061%, 1 Element, SMD

与IMTI-65698V-55相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

52
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

41
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

69
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

65

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IMTI-65698V-55

IMTI-65698V-55 技术参数

IMTI-65698V-55 数据手册

与IMTI-65698V-55相关器件

与IMTI-65698V-55相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IMTI-65698V-55

IMTI-65698V-55 技术参数

IMTI-65698V-55 数据手册

与IMTI-65698V-55相关器件

与IMTI-65698V-55相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？