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IMBG65R050M2H

更新时间： 2024-04-09 19:02:11

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16页	1649K
描述
The CoolSiC? MOSFET 650 V, 50 mΩ G2 in a D2PAK-7 (TO-263-7) package builds on the strengths of Gen

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IMBG65R050M2H 数据手册

CoolSiCªꢀMOSFETꢀ650ꢀVꢀG2

IMBG65R050M2H

Tableꢀ8ꢀꢀꢀꢀꢀReverseꢀdiodeꢀcharacteristics

Values

Typ.

4.3

Parameter

Symbol

Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition

Min.

Max.

Drain-source reverse voltage

V_SD

V_GSꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀI_Sꢀ=ꢀ18.2ꢀA,ꢀT_jꢀ=ꢀ25ꢀ°C

V_DDꢀ=ꢀ400ꢀV,ꢀI_Sꢀ=ꢀ18.2ꢀA,

10.4

6.1

di_S/dtꢀ=ꢀ1000ꢀA/µs;ꢀseeꢀtableꢀ9

V_DDꢀ=ꢀ400ꢀV,ꢀI_Sꢀ=ꢀ18.2ꢀA,

MOSFET forward recovery time

t_fr

di_S/dtꢀ=ꢀ4000ꢀA/µs;ꢀseeꢀtableꢀ9

V_DDꢀ=ꢀ400ꢀV,ꢀI_Sꢀ=ꢀ18.2ꢀA,

di_S/dtꢀ=ꢀ1000ꢀA/µs;ꢀseeꢀtableꢀ9

V_DDꢀ=ꢀ400ꢀV,ꢀI_Sꢀ=ꢀ18.2ꢀA,

di_S/dtꢀ=ꢀ4000ꢀA/µs;ꢀseeꢀtableꢀ9

MOSFET forward recovery charge¹⁾

Q_fr

V_DDꢀ=ꢀ400ꢀV,ꢀI_Sꢀ=ꢀ18.2ꢀA,

di_S/dtꢀ=ꢀ1000ꢀA/µs;ꢀseeꢀtableꢀ9

V_DDꢀ=ꢀ400ꢀV,ꢀI_Sꢀ=ꢀ18.2ꢀA,

MOSFET peak forward recovery

current

8.5

20.4

I_frm

di_S/dtꢀ=ꢀ4000ꢀA/µs;ꢀseeꢀtableꢀ9

¹⁾ꢀQ_frꢀincludesꢀQ_oss

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.2,ꢀꢀ2024-03-05

1...4 5 678 9 10...16

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