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IMBG65R050M2H

更新时间： 2024-04-09 19:02:11

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描述
The CoolSiC? MOSFET 650 V, 50 mΩ G2 in a D2PAK-7 (TO-263-7) package builds on the strengths of Gen

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IMBG65R050M2H 数据手册

CoolSiCªꢀMOSFETꢀ650ꢀVꢀG2

IMBG65R050M2H

4ꢀꢀꢀꢀꢀElectricalꢀcharacteristics

atꢀT_jꢀ=ꢀ25ꢀ°C,ꢀunlessꢀotherwiseꢀspecified

Tableꢀ5ꢀꢀꢀꢀꢀStaticꢀcharacteristics

Values

Typ.

Parameter

Symbol

Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition

Min.

650

3.5

Max.

Drain-source voltage

Gate threshold voltage¹⁾

V_DSS

V_GSꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀI_Dꢀ=ꢀ0.37ꢀmA

V_DSꢀ=ꢀV_GS,ꢀI_Dꢀ=ꢀ3.7ꢀmA

V_GS(th)

4.5

5.6

V_DSꢀ=ꢀ650ꢀV,ꢀV_GSꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀT_jꢀ=ꢀ25ꢀ°C

V_DSꢀ=ꢀ650ꢀV,ꢀV_GSꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀT_jꢀ=ꢀ175ꢀ°C

Zero gate voltage drain current

Gate-source leakage current

I_DSS

I_GSS

µA

100

V_GSꢀ=ꢀ20ꢀV,ꢀV_DSꢀ=ꢀ0ꢀV

V_GSꢀ=ꢀ15ꢀV,ꢀI_Dꢀ=ꢀ18.2ꢀA,ꢀT_jꢀ=ꢀ25ꢀ°C

V_GSꢀ=ꢀ18ꢀV,ꢀI_Dꢀ=ꢀ18.2ꢀA,ꢀT_jꢀ=ꢀ25ꢀ°C

V_GSꢀ=ꢀ20ꢀV,ꢀI_Dꢀ=ꢀ18.2ꢀA,ꢀT_jꢀ=ꢀ25ꢀ°C

V_GSꢀ=ꢀ18ꢀV,ꢀI_Dꢀ=ꢀ18.2ꢀA,ꢀT_jꢀ=175ꢀ°C

Drain-source on-state resistance

Internal gate resistance

R_DS(on)

mΩ

R_G,int

3.7

Ω

fꢀ=ꢀ1ꢀMHz

¹⁾Tested after 1 ms pulse at V_GS= +20 V. “Linear mode” operation is not recommended. For assessment of potential “linear

mode” operation, please contact Infineon sales office.

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.2,ꢀꢀ2024-03-05

1 2 3 456 7 8...16

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