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| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.63 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 55 ns | 周期时间： | 70 ns |
| JESD-30 代码： | X-XUUC-N28 | 内存密度： | 9216 bit |
| 内存宽度： | 9 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 1024 words |
| 字数代码： | 1000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 1KX9 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | NO | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIE | 封装形状： | UNSPECIFIED |
| 封装形式： | UNCASED CHIP | 并行/串行： | PARALLEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | UPPER | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IM0-67202AV-55SHXXX:RD | TEMIC |
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FIFO, 1KX9, 55ns, Asynchronous, CMOS, |
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| IM06B102K202NT | FH |
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工业用多层片式陶瓷电容器 |
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工业用多层片式陶瓷电容器 |
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工业用多层片式陶瓷电容器 |
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工业用多层片式陶瓷电容器 |
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工业用多层片式陶瓷电容器 |
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工业用多层片式陶瓷电容器 |
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工业用多层片式陶瓷电容器 |
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工业用多层片式陶瓷电容器 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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