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IKQ150N65EH7

更新时间： 2024-03-03 10:10:07

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英飞凌 - INFINEON		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
17页	2045K
描述
Hard-switching 650 V, 150 A?TRENCHSTOP? IGBT7?H7?discrete?in TO247PLUS-3 package has been developed to fulfill the demand in green & efficient energy applications, while also offering significant improvements over its predecessor generations.

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IKQ150N65EH7 数据手册

IKQ150N65EH7

™

High speed and low saturation voltage 650 V TRENCHSTOP IGBT7 technology

4 Characteristics diagrams

IGBT transient thermal impedance as a function of

pulse width

Z_th(j-c)= f(t_p)

Diode transient thermal impedance as a function of

pulse width

Z_th(j-c)= f(t_p)

D = t_p/T

0.1

0.01

0.001

0.0001

0.001

0.0001

1E-7 1E-6 1E-5 0.0001 0.001 0.01

0.1

1E-6

1E-5 0.0001 0.001

0.01

0.1

Typical diode forward current as a function of forward Typical diode forward voltage as a function of

voltage

junction temperature

I_F= f(V_F)

V_F= f(T_vj)

600

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

500

400

300

200

100

-50 -25

75 100 125 150 175

Datasheet

Revision 1.10

2023-04-25

1...8 9 101112 13 14...17

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