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IDY10S120

更新时间: 2024-02-18 09:10:50
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页数 文件大小 规格书
10页 1399K
描述
2nd Generation thinQ! SiC Schottky Diode

IDY10S120 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-247包装说明:R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.84Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY应用:EFFICIENCY
外壳连接:CATHODE配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON CARBIDE二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:TO-247JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3最大非重复峰值正向电流:29 A
元件数量:2相数:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C最大输出电流:5 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1200 V
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子面层:MATTE TIN端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

IDY10S120 数据手册

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SiC  
Silicon Carbide Diode  
2nd Generation thinQ!™  
2nd Generation thinQ!™ SiC Schottky Diode  
IDY10S120  
Data Sheet  
Rev. 2.0, 2011-02-28  
Final  
Industrial & Multimarket  

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IDY10S120XKSA1 INFINEON Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247,

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