是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | LCC | 包装说明: | HQCCJ, LDCC84,1.2SQ |
针数: | 84 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | 3A001.A.3 | HTS代码: | 8542.31.00.01 |
风险等级: | 5.92 | Is Samacsys: | N |
地址总线宽度: | 32 | 位大小: | 32 |
边界扫描: | NO | 最大时钟频率: | 66.67 MHz |
外部数据总线宽度: | 32 | 格式: | FLOATING POINT |
集成缓存: | YES | JESD-30 代码: | S-PQCC-J84 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 29.3116 mm |
低功率模式: | NO | 端子数量: | 84 |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | HQCCJ |
封装等效代码: | LDCC84,1.2SQ | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.57 mm | 速度: | 33.33 MHz |
子类别: | Microprocessors | 最大压摆率: | 525 mA |
最大供电电压: | 3.465 V | 最小供电电压: | 3.135 V |
标称供电电压: | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | OTHER |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 29.3116 mm |
uPs/uCs/外围集成电路类型: | MICROPROCESSOR, RISC | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT79RV3081E-33FD | IDT |
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RISController with FPA | |
IDT79RV3081E-33FDB | IDT |
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RISController with FPA | |
IDT79RV3081E-33FDM | IDT |
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RISController with FPA | |
IDT79RV3081E-33J | IDT |
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IDT79RV3081E-33JB | IDT |
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IDT79RV3081E-33JM | IDT |
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IDT79RV3081E-33MJM | IDT |
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IDT79RV3081E-33PF | IDT |
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RISController with FPA |