是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | QFP | 包装说明: | CAVITY DOWN, HEAT SINK, FP-84 |
针数: | 84 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | 3A001.A.2.C | HTS代码: | 8542.31.00.01 |
风险等级: | 5.82 | 其他特性: | CACHE COHERENCY |
地址总线宽度: | 32 | 位大小: | 32 |
边界扫描: | NO | 最大时钟频率: | 50 MHz |
外部数据总线宽度: | 32 | 格式: | FLOATING POINT |
集成缓存: | YES | JESD-30 代码: | S-XQFP-F84 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 29.21 mm |
低功率模式: | NO | DMA 通道数量: | |
外部中断装置数量: | 6 | 串行 I/O 数: | |
端子数量: | 84 | 片上数据RAM宽度: | |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | QFF |
封装等效代码: | QFL84,1.2SQ | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | FLATPACK | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
RAM(字数): | 0 | 筛选级别: | MIL-STD-883 Class B |
座面最大高度: | 3.556 mm | 速度: | 25 MHz |
子类别: | Microprocessors | 最大压摆率: | 650 mA |
最大供电电压: | 5.5 V | 最小供电电压: | 4.5 V |
标称供电电压: | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | FLAT |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 | 宽度: | 29.21 mm |
uPs/uCs/外围集成电路类型: | MICROPROCESSOR, RISC | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT79R3081E-25FDM | IDT |
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RISController with FPA | |
IDT79R3081E-25G | IDT |
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暂无描述 | |
IDT79R3081E25GB | ETC |
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Microprocessor | |
IDT79R3081E-25GB | IDT |
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RISC Microprocessor, 32-Bit, 25MHz, CMOS, CPGA84, CAVITY DOWN, CERAMIC, PGA-84 | |
IDT79R3081E25GM | ETC |
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Microprocessor | |
IDT79R3081E-25GM | IDT |
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暂无描述 | |
IDT79R3081E-25J | IDT |
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RISController with FPA | |
IDT79R3081E-25JB | IDT |
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RISController with FPA | |
IDT79R3081E-25JM | IDT |
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RISController with FPA | |
IDT79R3081E-25MJ | IDT |
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RISController with FPA |