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IDT72V261LA10TF

更新时间： 2024-01-30 01:09:01
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 先进先出芯片
页数 文件大小 规格书
27页 302K
描述
3.3 VOLT CMOS SuperSync FIFO

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IDT72V261LA10TF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：QFP
包装说明：LFQFP, QFP64,.47SQ,20针数：64
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.22
最长访问时间：6.5 ns其他特性：RETRANSMIT
最大时钟频率 (fCLK)：100 MHz周期时间：10 ns
JESD-30 代码：S-PQFP-G64JESD-609代码：e3
长度：10 mm内存密度：147456 bit
内存集成电路类型：OTHER FIFO内存宽度：9
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：64字数：16384 words
字数代码：16000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：16KX9可输出：YES
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LFQFP
封装等效代码：QFP64,.47SQ,20封装形状：SQUARE
封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.6 mm
最大待机电流：0.02 A子类别：FIFOs
最大压摆率：0.055 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：10 mmBase Number Matches：1

IDT72V261LA10TF 数据手册

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IDT72V261LA/72V271LA  
3.3 VOLT CMOS SuperSync FIFO™ 16,384 x 9 and 32,768 x 9  
COMMERCIAL AND INDUSTRIAL  
TEMPERATURE RANGES  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
RECOMMENDED DC OPERATING  
CONDITIONS  
Symbol  
Rating  
Commercial  
Unit  
VTERM  
Terminal Voltage  
with respect to GND  
–0.5 to +5  
V
Symbol  
VCC  
Parameter  
Min.  
3.0  
0
Typ.  
3.3  
0
Max.  
3.6  
0
Unit  
V
Supply Voltage (Com’l/Ind’l)  
Supply Voltage (Com’l/Ind’l)  
TSTG  
IOUT  
Storage  
Temperature  
–55 to +125  
–50 to +50  
°C  
GND  
VIH  
V
Input High Voltage (Com’l/Ind’l) 2.0  
5.0  
0.8  
70  
V
DC Output Current  
mA  
(1)  
VIL  
Input Low Voltage (Com’l/Ind’l)  
0
V
TA  
TA  
Operating Temperature  
Commercial  
°C  
NOTE:  
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may cause  
permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional operation  
of the device at these or any other conditions above those indicated in the operational  
sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating  
conditions for extended periods may affect reliability.  
Operating Temperature  
Industrial  
0
85  
°C  
NOTE:  
1. 1.5V undershoots are allowed for 10ns once per cycle.  
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(Commercial: VCC = 3.3V ± 03.V, TA = 0°C to + 70°C; Industrial: VCC = 3.3V ± 03.V, TA = -40°C to +85°C)  
IDT72V261LA  
IDT72V271LA  
Commercial & Industrial(1)  
tCLK = 10, 15, 20 ns  
Symbol  
Parameter  
Min.  
Max.  
Unit  
(2)  
ILI  
Input Leakage Current  
Output Leakage Current  
–1  
1
µA  
µA  
V
(3)  
ILO  
–10  
2.4  
—
10  
—
VOH  
VOL  
Output Logic “1” Voltage, IOH = –2 mA  
Output Logic “0” Voltage, IOL = 8 mA  
0.4  
V
(4,5,6)  
ICC1  
Active Power Supply Current  
Standby Current  
—
—
55  
20  
mA  
mA  
(4,7)  
ICC2  
NOTES:  
1. Industrial temperature range product for 15ns speed grade is available as a standard device. All other speed grades are available by special order.  
2. Measurements with 0.4 ≤ VIN ≤ VCC.  
3. OE ≥ VIH, 0.4 ≤ VOUT ≤ VCC.  
4. Tested with outputs disabled (IOUT = 0).  
5. RCLK and WCLK toggle at 20 MHz and data inputs switch at 10 MHz.  
6. Typical ICC1 = 10 + 0.95*fS + 0.02*CL*fS (in mA) with VCC = 3.3V, tA = 25°C, fS = WCLK frequency = RCLK frequency (in MHz, using TTL levels), data switching at fS/2,  
CL = capacitive load (in pF).  
7. All Inputs = VCC - 0.2V or GND + 0.2V, except RCLK and WCLK, which toggle at 20 MHz.  
CAPACITANCE  
(TA = +25°C, f = 1.0MHz)  
Symbol  
Parameter(1)  
Conditions  
Max.  
Unit  
(2)  
CIN  
Input  
VIN = 0V  
10  
pF  
Capacitance  
(1,2)  
COUT  
Output  
VOUT = 0V  
10  
pF  
Capacitance  
NOTES:  
1. With output deselected, (OE ≥ VIH).  
2. Characterized values, not currently tested.  
5
12345678...27

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