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IDT7206L80CB

更新时间: 2024-10-02 21:14:39
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 时钟先进先出芯片内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 417K
描述
FIFO, 16KX9, 80ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28

IDT7206L80CB 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28针数:28
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.74
最长访问时间:80 ns其他特性:RETRANSMIT
最大时钟频率 (fCLK):10 MHz周期时间:100 ns
JESD-30 代码:R-CDIP-T28JESD-609代码:e0
内存密度:147456 bit内存集成电路类型:OTHER FIFO
内存宽度:9功能数量:1
端子数量:28字数:16384 words
字数代码:16000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:16KX9输出特性:3-STATE
可输出:NO封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:DIP封装等效代码:DIP28,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B最大待机电流:0.004 A
子类别:FIFOs最大压摆率:0.15 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

IDT7206L80CB 数据手册

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