生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFJ |
包装说明: | QCCN, | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.82 |
最长访问时间: | 80 ns | 其他特性: | RETRANSMIT |
周期时间: | 100 ns | JESD-30 代码: | R-CQCC-N32 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 147456 bit |
内存宽度: | 9 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 16384 words |
字数代码: | 16000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 16KX9 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | NO | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | QCCN | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | CHIP CARRIER | 并行/串行: | PARALLEL |
认证状态: | Not Qualified | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | QUAD |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7206L80P | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9 | |
IDT7206L80PB | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9 | |
IDT7206L80SO | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9 | |
IDT7206L80SOB | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9 | |
IDT7206L80TC | IDT |
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FIFO, 16KX9, 80ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, THIN, CERAMIC, DIP | |
IDT7206L80TCB | IDT |
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FIFO, 16KX9, 80ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, THIN, CERAMIC, DIP | |
IDT7206L80TD | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9 | |
IDT7206L80TDB | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9 | |
IDT7206L80TP | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9 | |
IDT7206L80TPB | IDT |
获取价格 |
CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9 |