是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | PLASTIC, DIP-28 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.3 |
最长访问时间: | 15 ns | 其他特性: | RETRANSMIT |
最大时钟频率 (fCLK): | 40 MHz | 周期时间: | 25 ns |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 34.671 mm | 内存密度: | 36864 bit |
内存集成电路类型: | OTHER FIFO | 内存宽度: | 9 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 4096 words | 字数代码: | 4000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 4KX9 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | NO |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 4.572 mm |
最大待机电流: | 0.002 A | 子类别: | FIFOs |
最大压摆率: | 0.12 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
7204L15TPI | IDT |
功能相似 |
PDIP-28, Tube | |
7204L15J | IDT |
功能相似 |
PLCC-32, Tube |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7204L15TPB | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9 | |
IDT7204L15TPG | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT7204L15TPGI | IDT |
获取价格 |
CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT7204L15TPI | IDT |
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FIFO, 4KX9, 15ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 | |
IDT7204L15XE | IDT |
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暂无描述 | |
IDT7204L20D | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9 | |
IDT7204L20DB | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9 | |
IDT7204L20DG | IDT |
获取价格 |
CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT7204L20DGB | IDT |
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暂无描述 | |
IDT7204L20DGI | IDT |
获取价格 |
CMOS ASYNCHRONOUS FIFO |