是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP28,.6 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.03 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 30 ns |
其他特性: | RETRANSMIT | 周期时间: | 40 ns |
JESD-30 代码: | R-GDIP-T28 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 37.211 mm | 内存密度: | 9216 bit |
内存集成电路类型: | OTHER FIFO | 内存宽度: | 9 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 1024 words | 字数代码: | 1000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 1KX9 |
可输出: | NO | 封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP28,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-STD-883 Class B | 座面最大高度: | 5.08 mm |
最大待机电流: | 0.015 A | 子类别: | FIFOs |
最大压摆率: | 0.1 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
宽度: | 15.24 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7202LA30DGB8 | IDT |
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FIFO, 1KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28 | |
IDT7202LA30DM | IDT |
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FIFO, 1KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28 | |
IDT7202LA30FB | IDT |
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FIFO, 1KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CDFP28 | |
IDT7202LA30J | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 256 x 9, 512 x 9, 1K x 9 | |
IDT7202LA30JB | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 256 x 9, 512 x 9, 1K x 9 | |
IDT7202LA30L | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 256 x 9, 512 x 9, 1K x 9 | |
IDT7202LA30LB | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 256 x 9, 512 x 9, 1K x 9 | |
IDT7202LA30LB8 | IDT |
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FIFO, 1KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, LCC-32 | |
IDT7202LA30P | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 256 x 9, 512 x 9, 1K x 9 | |
IDT7202LA30PB | IDT |
获取价格 |
CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 256 x 9, 512 x 9, 1K x 9 |