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IDT71V3579YS85BQI8

更新时间： 2023-01-02 16:39:37
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器
页数 文件大小 规格书
22页 236K
描述
Standard SRAM, 256KX18, 8.5ns, CMOS, PBGA165

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IDT71V3579YS85BQI8 数据手册

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IDT71V3577YS_79YS, IDT71V3577YSA_79YSA, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with  
3.3V I/O, Flow-Through Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect  
Commercial and Industrial Temperature Ranges  
Pin Configuration – 128K x 36, 119 BGA  
1
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3
4
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DDQ  
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A
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CLK  
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A
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P1  
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(2)  
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DDQ  
V
NC/TDO  
DDQ  
V
NC/TMS  
NC/TDI  
NC/TCK  
NC/TRST  
U
6450 drw 02c  
Top View  
Pin Configuration – 256K x 18, 119 BGA  
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A
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A
A
A
NC  
ZZ  
(2)  
(2)  
(2)  
(2)  
(2,4)  
NC/TDO  
DDQ  
V
NC/TMS  
NC/TDI  
NC/TCK  
NC/TRST  
U
V
6450 drw 02d  
,
Top View  
NOTES:  
1. R5 does not have to be directly connected to VSS as long as the input voltage is < VIL.  
2. These pins are NC for the "S" version or the JTAG signal listed for the "SA" version. Note: If NC, these pins can either be tied to VSS, VDD or left floating.  
3. T7 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.  
4. TRST is offered as an optional JTAG Reset if required in the application. If not needed, can be left floating and will internally be pulled to VDD.  
6.42  
7
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与IDT71V3579YS85BQI8相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
IDT71V3579YS85PF IDT Cache SRAM, 256KX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100

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IDT71V3579YS85PFG IDT 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter,

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