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IDT71V3558S100BQG8

更新时间: 2024-11-14 15:35:11
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
29页 2162K
描述
ZBT SRAM, 256KX18, 5ns, CMOS, PBGA165

IDT71V3558S100BQG8 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:BGA, BGA165,11X15,40
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.27
最长访问时间:5 ns最大时钟频率 (fCLK):100 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PBGA-B165
JESD-609代码:e1内存密度:4718592 bit
内存集成电路类型:ZBT SRAM内存宽度:18
湿度敏感等级:3端子数量:165
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX18
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:BGA封装等效代码:BGA165,11X15,40
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):260
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.04 A最小待机电流:3.14 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.25 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式:BALL
端子节距:1 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:30Base Number Matches:1

IDT71V3558S100BQG8 数据手册

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