5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOJ | 包装说明： | 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.B | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.4 | 最长访问时间： | 15 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-J32 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 20.955 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 128KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOJ | 封装等效代码： | SOJ32,.44 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 3.683 mm | 最大待机电流： | 0.01 A |
| 最小待机电流： | 3 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.1 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IDT71V124SA15YG | IDT |
功能相似  |
Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOJ-32 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT71V124SA15YG | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOJ-32 |
|
| IDT71V124SA15YG8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOJ-32 |
|
| IDT71V124SA15YGI | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOJ-32 |
|
| IDT71V124SA15YI | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout |
|
| IDT71V124SA20 | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout |
|
| IDT71V124SA20PH | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout |
|
| IDT71V124SA20PHI | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout |
|
| IDT71V124SA20TY | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout |
|
| IDT71V124SA20TY8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32 |
|
| IDT71V124SA20TYG | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOJ-32 |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
