是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOJ | 包装说明: | 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOJ-32 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.2.B | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.72 | 最长访问时间: | 20 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-J32 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 20.955 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 128KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOJ | 封装等效代码: | SOJ32,.44 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 3.683 mm | 最大待机电流: | 0.01 A |
最小待机电流: | 3 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.095 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3.15 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT71V124SA20YI | IDT |
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3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout | |
IDT71V124SA-PH | ATMEL |
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Supports the ATmega2560, ATmega1280 and ATmega640 | |
IDT71V124SA-TY | ATMEL |
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Supports the ATmega2560, ATmega1280 and ATmega640 | |
IDT71V124SA-Y | ATMEL |
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Supports the ATmega2560, ATmega1280 and ATmega640 | |
IDT71V128S12Y | IDT |
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Standard SRAM, 256KX4, 12ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, SOJ-32 | |
IDT71V128S15Y | IDT |
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Standard SRAM, 256KX4, 15ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, SOJ-32 | |
IDT71V128S20Y | IDT |
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Standard SRAM, 256KX4, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, SOJ-32 | |
IDT71V218S10PV | IDT |
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Cache Tag SRAM, 8KX16, 10ns, CMOS, PDSO48, SSOP-48 | |
IDT71V218S12PV | ETC |
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x16 Cache-Tag RAM | |
IDT71V218S15PV | IDT |
获取价格 |
Cache Tag SRAM, 8KX16, 15ns, CMOS, PDSO48, SSOP-48 |