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IDT71V128S15Y

更新时间： 2024-09-30 20:23:35

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
7页	59K
描述
Standard SRAM, 256KX4, 15ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, SOJ-32

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IDT71V128S15Y 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOJ	包装说明：	0.400 INCH, SOJ-32
针数：	32	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.B	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	15 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-J32	JESD-609代码：	e0
长度：	20.955 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	4
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	32
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX4
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ32,.44	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.683 mm	最大待机电流：	0.005 A
最小待机电流：	3 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.095 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

IDT71V128S15Y 数据手册

PRELIMINARY

IDT71V128

3.3V CMOS STATIC RAM

1 MEG (256K x 4-BIT)

REVOLUTIONARY PINOUT

Integrated Device Technology, Inc.

FEATURES:

DESCRIPTION:

• 256K x 4 advanced high-speed CMOS static RAM

• JEDEC revolutionary pinout (center power/GND) for

reduced noise.

• Equal access and cycle times

— Commercial: 12/15/20ns

• One Chip Select plus one Output Enable pin

• Bidirectional inputs and outputs directly TTL-compatible

• Low power consumption via chip deselect

• Available in a 32-pin 400 mil Plastic SOJ

The IDT71V128 is a 1,048,576-bit high-speed static RAM

organized as 256K x 4. It is fabricated using IDT’s high-

performance, high-reliability CMOS technology. This state-

of-the-arttechnology, combinedwithinnovativecircuit design

techniques, provides a cost-effective solution for high-speed

memory needs. The JEDEC centerpower/GND pinout re-

duces noise generation and improves system performance.

The IDT71V128 has an output enable pin which operates

as fast as 6ns, with address access times as fast as 12ns

available. AllbidirectionalinputsandoutputsoftheIDT71V128

are TTL-compatible and operation is from a single 5V supply.

Fully static asynchronous circuitry is used; no clocks or

refreshes are required for operation.

The IDT71V128 is packaged in a 32-pin 400 mil Plastic

SOJ.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

1,048,576-BIT

MEMORY

ARRAY

ADDRESS

DECODER

A17

I/O0 – I/O3

I/O CONTROL

CONTROL

LOGIC

3485 drw 01

The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.

COMMERCIAL TEMPERATURE RANGE

JUNE 1996

1996 Integrated Device Technology, Inc.

DSC-3485/-

9.8

12 3 4 5 6 7

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与IDT71V128S15Y相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71V128S20Y	IDT	获取价格	Standard SRAM, 256KX4, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, SOJ-32
IDT71V218S10PV	IDT	获取价格	Cache Tag SRAM, 8KX16, 10ns, CMOS, PDSO48, SSOP-48
IDT71V218S12PV	ETC	获取价格	x16 Cache-Tag RAM
IDT71V218S15PV	IDT	获取价格	Cache Tag SRAM, 8KX16, 15ns, CMOS, PDSO48, SSOP-48
IDT71V2546S	IDT	获取价格	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V2546S_11	IDT	获取价格	3.3V Synchronous ZBT SRAM
IDT71V2546S100BG	IDT	获取价格	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V2546S100BG8	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119
IDT71V2546S100BGI	IDT	获取价格	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V2546S100BGI8	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119

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