5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | QFP | 包装说明： | 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, TQFP-100 |
| 针数： | 100 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 8 ns | 其他特性： | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 95 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PQFP-G100 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 20 mm | 内存密度： | 18874368 bit |
| 内存集成电路类型： | ZBT SRAM | 内存宽度： | 36 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 100 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 512KX36 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LQFP | 封装等效代码： | QFP100,.63X.87 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLATPACK, LOW PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 2.5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.6 mm |
| 最大待机电流： | 0.04 A | 最小待机电流： | 2.38 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.25 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2.625 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.375 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.65 mm | 端子位置： | QUAD |
| 宽度： | 14 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT71T75702S80PFGI | IDT |
获取价格 |
ZBT SRAM, 512KX36, 8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 |
|
| IDT71T75702S80PFI8 | IDT |
获取价格 |
ZBT SRAM, 512KX36, 8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 |
|
| IDT71T75702S85BGGI | IDT |
获取价格 |
ZBT SRAM, 512KX36, 8.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119 |
|
| IDT71T75702S85PF8 | IDT |
获取价格 |
ZBT SRAM, 512KX36, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 |
|
| IDT71T75702S85PFG8 | IDT |
获取价格 |
ZBT SRAM, 512KX36, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, TQFP- |
|
| IDT71T75702S85PFGI | IDT |
获取价格 |
ZBT SRAM, 512KX36, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 |
|
| IDT71T75802 | IDT |
获取价格 |
512K x 36, 1M x 18 2.5V Synchronous ZBT⑩ SRAM |
|
| IDT71T75802S100B | IDT |
获取价格 |
ZBT SRAM, 1MX18, 5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, MS-028-AA, BGA-119 |
|
| IDT71T75802S100BG | IDT |
获取价格 |
512K x 36, 1M x 18 2.5V Synchronous ZBT⑩ SRAM |
|
| IDT71T75802S100BG8 | IDT |
获取价格 |
ZBT SRAM, 1MX18, 5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, MS-028-AA, BGA-119 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
