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IDT7140LA45J

更新时间: 2024-11-16 18:58:59
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
17页 529K
描述
Multi-Port SRAM, 1KX8, 45ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52

IDT7140LA45J 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:LCC
包装说明:QCCJ, LDCC52,.8SQ针数:52
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.64
Is Samacsys:N最长访问时间:45 ns
其他特性:INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWNI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:S-PQCC-J52JESD-609代码:e0
长度:19.1262 mm内存密度:8192 bit
内存集成电路类型:MULTI-PORT SRAM内存宽度:8
湿度敏感等级:1功能数量:1
端口数量:2端子数量:52
字数:1024 words字数代码:1000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:QCCJ
封装等效代码:LDCC52,.8SQ封装形状:SQUARE
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:4.57 mm
最大待机电流:0.0015 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.145 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn85Pb15)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:30宽度:19.1262 mm
Base Number Matches:1

IDT7140LA45J 数据手册

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