Datasheet > IDT7140LA100TFG8

IDT7140LA100TFG8

更新时间： 2024-11-15 14:42:43

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	451K
描述
Multi-Port SRAM, 1KX8, 100ns, CMOS, PQFP64, STQFP-64

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IDT7140LA100TFG8 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	QFP
包装说明：	LFQFP, QFP64,.47SQ,20	针数：	64
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.02
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	100 ns
其他特性：	INTERRUPT FLAG	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-PQFP-G64	JESD-609代码：	e3
长度：	10 mm	内存密度：	8192 bit
内存集成电路类型：	MULTI-PORT SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	64
字数：	1024 words	字数代码：	1000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFQFP
封装等效代码：	QFP64,.47SQ,20	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大待机电流：	0.0015 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	10 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...14

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT7140LA100TFGB	IDT	获取价格	HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
IDT7140LA100TFGB8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 100ns, CMOS, PQFP64
IDT7140LA100TFGI	IDT	获取价格	HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
IDT7140LA100TFGI8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 100ns, CMOS, PQFP64
IDT7140LA100TFI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 1KX8, 100ns, CMOS, PQFP64, STQFP-64
IDT7140LA100TFI8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 100ns, CMOS, PQFP64
IDT7140LA120FB	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 120ns, CMOS, CQFP48, QFP-48
IDT7140LA120L48B	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 120ns, CMOS, CQCC48, LCC-48
IDT7140LA120L52B	ETC	获取价格	x8 Dual-Port SRAM
IDT7140LA20C	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM