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IDT7134L35L52B

更新时间: 2024-12-01 14:51:27
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 636K
描述
Multi-Port SRAM, 4KX8, 35ns, CMOS, CQCC52

IDT7134L35L52B 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
最长访问时间:35 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:S-XQCC-N52JESD-609代码:e0
内存密度:32768 bit内存集成电路类型:MULTI-PORT SRAM
内存宽度:8端口数量:2
端子数量:52字数:4096 words
字数代码:4000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:4KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:QCCN
封装等效代码:LCC52,.75SQ封装形状:SQUARE
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B最大待机电流:0.004 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
Base Number Matches:1

IDT7134L35L52B 数据手册

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