是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | LCC |
包装说明: | QCCJ, | 针数: | 68 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.08 |
最长访问时间: | 55 ns | JESD-30 代码: | S-PQCC-J68 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 24.2062 mm |
内存密度: | 32768 bit | 内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 68 | 字数: | 2048 words |
字数代码: | 2000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 2KX16 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | CHIP CARRIER | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-PRF-38535 | 座面最大高度: | 4.572 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 24.2062 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7133SA55JI | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 16 CMOS DUAL-PORT STATIC RAMS | |
IDT7133SA55PF | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 16 CMOS DUAL-PORT STATIC RAMS | |
IDT7133SA55PF8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX16, 55ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
IDT7133SA55PFB | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 16 CMOS DUAL-PORT STATIC RAMS | |
IDT7133SA55PFBG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX16, 55ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
IDT7133SA55PFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX16, 55ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-100 | |
IDT7133SA55PFGI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX16, 55ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-100 | |
IDT7133SA55PFI | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 16 CMOS DUAL-PORT STATIC RAMS | |
IDT7133SA55PG | IDT |
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Multi-Port SRAM, 2KX16, 55ns, CMOS, PPGA68, PLASTIC, PGA-68 | |
IDT7133SA55PN | ETC |
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x16 Dual-Port SRAM |