是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | QFF, QFL68,.95SQ | 针数: | 68 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.21 |
最长访问时间: | 35 ns | 其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | S-CQFP-F68 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 24.0792 mm |
内存密度: | 32768 bit | 内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 68 |
字数: | 2048 words | 字数代码: | 2000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 2KX16 |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | QFF |
封装等效代码: | QFL68,.95SQ | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | FLATPACK | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-PRF-38535 |
座面最大高度: | 3.683 mm | 最大待机电流: | 0.004 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.325 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | FLAT | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
宽度: | 24.0792 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IDT7133LA35FB | IDT |
功能相似 |
HIGH-SPEED 2K x 16 CMOS DUAL-PORT STATIC RAMS |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
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IDT7133SA35FGB | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX16, 35ns, CMOS, CQFP68, 1.180 X 1.180 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, MO-081AA | |
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暂无描述 | |
IDT7133SA35GI | IDT |
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IDT7133SA35J | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 16 CMOS DUAL-PORT STATIC RAMS | |
IDT7133SA35J8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX16, 35ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 |