5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.86 | 最长访问时间： | 70 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | S-XPGA-P68 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 32768 bit |
| 内存集成电路类型： | MULTI-PORT SRAM | 内存宽度： | 16 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 68 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 2KX16 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | PGA | 封装等效代码： | PGA68,11X11 |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | GRID ARRAY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.03 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.26 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | PERPENDICULAR |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 6 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7133S70J | ETC |
获取价格 |
x16 Dual-Port SRAM |
|
| IDT7133S70L | ETC |
获取价格 |
x16 Dual-Port SRAM |
|
| IDT7133S70LB | ETC |
获取价格 |
x16 Dual-Port SRAM |
|
| IDT7133S70P | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX16, 70ns, CMOS, PDIP68 |
|
| IDT7133S70PG | ETC |
获取价格 |
x16 Dual-Port SRAM |
|
| IDT7133S70XC | ETC |
获取价格 |
x16 Dual-Port SRAM |
|
| IDT7133S90F | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX16, 90ns, CMOS, CQFP68, QFP-68 |
|
| IDT7133S90FGB | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX16, 90ns, CMOS, CQFP68, QFP-68 |
|
| IDT7133S90G | ETC |
获取价格 |
x16 Dual-Port SRAM |
|
| IDT7133S90GB | ETC |
获取价格 |
x16 Dual-Port SRAM |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
