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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | LCC |
| 包装说明： | QCCJ, | 针数： | 52 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.09 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 35 ns |
| 其他特性： | AUTOMATIC POWER-DOWN | JESD-30 代码： | S-PQCC-J52 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 19.1262 mm |
| 内存密度： | 16384 bit | 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 52 | 字数： | 2048 words |
| 字数代码： | 2000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 2KX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QCCJ | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 4.57 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 19.1262 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IDT7132LA35JG | IDT |
功能相似  |
暂无描述 |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7132SA35JGB | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PL |
|
| IDT7132SA35JI | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS |
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| IDT7132SA35L48 | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
|
| IDT7132SA35L48B | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT7132SA35L48BG | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQCC48, 0.570 X 0.570 INCH, 0.680 INCH HEIGHT, LCC-48 |
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| IDT7132SA35L48G | IDT |
获取价格 |
暂无描述 |
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| IDT7132SA35L48GB | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQCC48, 0.570 X 0.570 INCH, 0.680 INCH HEIGHT, GREEN, MS |
|
| IDT7132SA35L48I | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS |
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| IDT7132SA35L52 | ETC |
获取价格 |
x8 Dual-Port SRAM |
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| IDT7132SA35L52B | ETC |
获取价格 |
x8 Dual-Port SRAM |
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