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IDT71256S55L28B

更新时间： 2024-11-23 19:12:43

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	254K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, CQCC28, LCC-28

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IDT71256S55L28B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QLCC	包装说明：	LCC-28
针数：	28	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.42	最长访问时间：	55 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-CQCC-N28
JESD-609代码：	e0	长度：	13.97 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	32KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	QCCN
封装等效代码：	LCC28,.35X.55	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	座面最大高度：	3.048 mm
最大待机电流：	0.02 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
宽度：	8.89 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71256S55L28BG8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, CQCC28, LCC-28
IDT71256S55L32B	IDT	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, CQCC32, LCC-32
IDT71256S55L32B8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, CQCC32, LCC-32
IDT71256S55L32BG	IDT	获取价格	暂无描述
IDT71256S55L32M	IDT	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, CQCC32
IDT71256S55LB	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)
IDT71256S55P	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)
IDT71256S55PB	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)
IDT71256S55PK	IDT	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDSO28
IDT71256S55TCB	IDT	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, THIN, SIDE BRAZED, DIP-28