是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | 0.600 INCH, CERDIP-28 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | 3A001.A.2.C | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.13 | 最长访问时间: | 120 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-GDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 37.211 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 32KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B |
座面最大高度: | 5.08 mm | 最大待机电流: | 0.0002 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.125 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
宽度: | 15.24 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT71256L120EB | IDT |
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Standard SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS, CDFP28, CERPACK-28 | |
IDT71256L120L | IDT |
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CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT) | |
IDT71256L120L28B | IDT |
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Standard SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS, CQCC28, LCC-28 | |
IDT71256L120L28B8 | IDT |
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Standard SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS, CQCC28, LCC-28 | |
IDT71256L120L32B | ETC |
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x8 SRAM | |
IDT71256L120L32BG8 | IDT |
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Standard SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS, CQCC32, LCC-32 | |
IDT71256L120LB | IDT |
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CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT) | |
IDT71256L120LBG | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS, CQCC32, LCC-32 | |
IDT71256L120P | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT) | |
IDT71256L120PB | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT) |