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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | LCC |
| 包装说明： | QCCJ, LDCC84,1.2SQ | 针数： | 84 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.26 |
| 最长访问时间： | 35 ns | 其他特性： | 16K X 16 DUAL PORT SRAM |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | S-PQCC-J84 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 29.3116 mm |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 2 |
| 端子数量： | 84 | 字数： | 16384 words |
| 字数代码： | 16000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 16KX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QCCJ |
| 封装等效代码： | LDCC84,1.2SQ | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 4.57 mm |
| 最大待机电流： | 0.03 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.335 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 29.3116 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7026S45G | ETC |
获取价格 |
x16 Dual-Port SRAM |
|
| IDT7026S45GB | ETC |
获取价格 |
x16 Dual-Port SRAM |
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| IDT7026S45J | ETC |
获取价格 |
x16 Dual-Port SRAM |
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| IDT7026S55G | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
|
| IDT7026S55GB | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT7026S55J | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT7026S55JB | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT7026S55JG | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 16KX16, 55ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84 |
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| IDT7026S55JGI | IDT |
获取价格 |
暂无描述 |
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| IDT7026S55JGI8 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 16KX16, 55ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84 |
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