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IDT6116SA35SOI8

更新时间： 2024-02-17 21:38:25

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艾迪悌 - IDT		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	112K
描述
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOIC-24

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IDT6116SA35SOI8 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	0.300 INCH, SOIC-24
针数：	24	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.14	最长访问时间：	35 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G24
JESD-609代码：	e0	长度：	15.4 mm
内存密度：	16384 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端子数量：	24
字数：	2048 words	字数代码：	2000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	2KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP24,.4
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.65 mm	最大待机电流：	0.002 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.1 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	7.5 mm	Base Number Matches：	1

IDT6116SA35SOI8 数据手册

IDT6116SA/LA

CMOS Static RAM 2K (16K x 8-Bit)

Military, Commercial, and Industrial Temperature Ranges

Timing Waveform of Read Cycle No. 1^(1,3)

t_RC

ADDRESS

tAA

t_OH

(5)

t_OE

t_OHZ

(5)

t_OLZ

(5)

t_ACS

tCHZ

(5)

t_CLZ

DATA

VALID

DATAOUT

ICC

t_PU

V_CC

Supply

Currents

ISB

tPD

3089 drw 06

Timing Waveform of Read Cycle No. 2^(1,2,4)

tRC

ADDRESS

tAA

tOH

DATA VALID

DATAOUT

PREVIOUS DATA VALID

3089 drw 07

Timing Waveform of Read Cycle No. 3^(1,3,4)

(5)

tACS

tCHZ

(5)

tCLZ

DATAOUT

DATA VALID

3089 drw 08

NOTES:

1. WE is HIGH for Read cycle.

2. Device is continously selected, CS is LOW.

3. Address valid prior to or coincident with CS transition LOW.

4. OE is LOW.

5. Transition is measured ±500mV from steady state.

6.42

1...4 5 678 9 10 11

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