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IDT6116SA35SOI

更新时间： 2024-01-08 03:07:57
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT /
页数 文件大小 规格书
11页 112K
描述
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)

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IDT6116SA35SOI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：0.300 INCH, SOJ-24
针数：24Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.71最长访问时间：35 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-J24
JESD-609代码：e0长度：15.88 mm
内存密度：16384 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：24
字数：2048 words字数代码：2000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：2KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ24,.34
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：225
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.76 mm最大待机电流：0.002 A
最小待机电流：4.5 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.1 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：7.62 mmBase Number Matches：1

IDT6116SA35SOI 数据手册

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IDT6116SA/LA  
CMOS Static RAM 2K (16K x 8-Bit)  
Military, Commercial, and Industrial Temperature Ranges  
AC Electrical Characteristics (VCC = 5V ± 10%, All Temperature Ranges)  
6116SA15(1)  
6116SA20  
6116LA20  
6116SA25  
6116LA25  
6116SA35  
6116LA35  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Symbol  
Parameter  
Unit  
Read Cycle  
____  
____  
____  
____  
tRC  
tAA  
tACS  
Read Cycle Time  
15  
20  
25  
35  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
____  
____  
____  
____  
Address Access Time  
15  
19  
25  
35  
____  
____  
____  
____  
Chip Select Access Time  
Chip Select to Output in Low-Z  
Output Enable to Output Valid  
15  
20  
25  
35  
____  
____  
____  
____  
(3)  
5
5
5
5
tCLZ  
____  
____  
____  
____  
tOE  
10  
10  
13  
20  
____  
____  
____  
____  
(3)  
Output Enable to Output in Low-Z  
Chip Deselect to Output in High-Z  
Output Disable to Output in High-Z  
Output Hold from Address Change  
Chip Select to Power Up Time  
0
0
5
5
tOLZ  
____  
____  
____  
____  
(3)  
10  
11  
12  
15  
ns  
ns  
ns  
ns  
tCHZ  
____  
____  
____  
____  
(3)  
8
8
10  
13  
tOHZ  
____  
____  
____  
____  
tOH  
5
5
5
5
____  
____  
____  
____  
(3)  
0
0
0
0
tPU  
____  
____  
____  
____  
(3)  
Chip Deselect to Power Down Time  
15  
20  
25  
35  
ns  
tPD  
3089 tbl 12  
AC Electrical Characteristics (VCC = 5V ± 10%, All Temperature Ranges) (continued)  
6116SA45  
6116LA45  
6116SA55(2)  
6116LA55(2)  
6116SA70(2)  
6116LA70(2)  
6116SA90(2)  
6116LA90(2)  
6116SA120(2)  
6116LA120(2)  
6116SA150(2)  
6116LA150(2)  
Symbol  
Parameter  
Unit  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Read Cycle  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
tRC  
tAA  
tACS  
Read Cycle Time  
45  
55  
70  
90  
120  
150  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
Address Access Time  
45  
55  
70  
90  
120  
150  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
Chip Select Access Time  
45  
50  
65  
90  
120  
150  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
(3)  
Chip Select to Output in Low-Z  
Output Enable to Output Valid  
Output Enable to Output in Low-Z  
5
5
5
5
5
5
tCLZ  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
tOE  
25  
40  
50  
60  
80  
100  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
(3)  
5
5
5
5
5
5
tOLZ  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
(3)  
Chip Deselect to Output in High-Z  
Output Disable to Output in High-Z  
Output Hold from Address Change  
20  
30  
35  
40  
40  
40  
ns  
ns  
tCHZ  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
(3)  
15  
30  
35  
40  
40  
40  
tOHZ  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
tOH  
5
5
5
5
5
5
ns  
3089 tbl 13  
NOTES:  
1. 0°C to +70°C temperature range only.  
2. –55°C to +125°C temperature range only.  
3. This parameter guaranteed with the AC Load (Figure 2) by device characterization, but is not production tested.  
6
1...3456789...11

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与IDT6116SA35SOI相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
IDT6116SA35SOI8 IDT Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOIC-24

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